DRAM / NAND 巨头明年加码半导体投资：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

CTOnews.com 12 月 21 日消息，根据韩媒 ETNews 报道，三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。

三星计划投资 27 万亿韩元（CTOnews.com备注：当前约 1482.3 亿元人民币），比 2023 年投资预算增加 25%；而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元（当前约 290.97 亿元人民币），比今年的投资额增长 100%。

报道中指出，三星和 SK 海力士在增加半导体设备投资之外，还提高了 2024 年的产能目标。

报道称三星将 DRAM 和 NAND 闪存的产量提高 24%，而 SK 海力士的目标是将 DRAM 产能提高到 2022 年年底水平。

根据集邦咨询公布的 2023 年第 3 季度营收数据，在市场份额方面，三星在 DRAM 领域占有约 38.9% 的市场份额，而 SK 海力士则为 34.3%。

在 NAND 领域，三星拥有约 31.4% 的市场份额，而 SK 海力士则占 20.2%。

DRAM 和 NAND 市场由于长期供应过剩，主要制造商都采取了减产的方式，这种情况直到近期才有所缓解。

在价格反弹的情况下，韩国两大公司计划进行重大投资，这引发了人们对存储器行业可能面临新挑战的担忧。

此外，业界普遍认为，未来一些与 AI 相关的应用将需要大容量内存支持。例如，明年全球智能手机出货量预计将增长 3%，预计将促进高价值内存市场需求的扩大。

集邦咨询也指出，近期有关内存厂商扩大投资、提升产能的消息，主要是受 HBM 市场需求增长的推动，而非所有产品的产能扩张。