消息称英伟达 RTX 50 显卡采用台积电 3nm 工艺
发表于:2026-11-04 作者:千家信息网编辑
千家信息网最后更新 2026年11月04日,CTOnews.com 11 月 18 日消息,据可靠爆料人 kopite7kimi 消息,英伟达 RTX 50 系列显卡所采用的 GB200 系列 GPU 将采用台积电 3nm 工艺。据 CTOne
千家信息网最后更新 2026年11月04日消息称英伟达 RTX 50 显卡采用台积电 3nm 工艺
CTOnews.com 11 月 18 日消息,据可靠爆料人 kopite7kimi 消息,英伟达 RTX 50 系列显卡所采用的 GB200 系列 GPU 将采用台积电 3nm 工艺。
据 CTOnews.com此前报道,英伟达当前的 RTX 40 显卡采用"TSMC 4N"工艺,没有说明具体是几 nm 工艺,有报道称是定制的 5nm 工艺。英伟达官方表示,在 TSMC 4N 定制工艺技术加持下,RTX 40 系列 GPU 实现了高达 2 倍的性能功耗比飞跃。
除了新工艺外,消息称 RTX 50 系列显卡将采用 GDDR7 显存,最高支持 384bit 位宽,接口包括 HDMI 和 DP 2.1,支持通过 PCIe 5.0 连接,供电采用改进版 12V-2x6 16pin 接口,发布时间可能是 2024 年底或 2025 年。
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