攻击内存方式 RowPress 曝光：暂无抵御方案，缓解需降低 2% 性能

CTOnews.com 10 月 21 日消息，瑞士的安全研究专家近日发现了一种针对 DRAM 的新型攻击方式，现阶段无法抵御这种攻击。目前没有证据表明已经有黑客采用这种方式发起攻击，但专家敦促内存制造商尽快采取措施。

这种新型攻击方式关联 2015 年发现的 RowHammer 方法，用户级应用程序通过重复访问 DDR 内存新品的某些区域之后，可能会破坏，修改或窃取敏感数据。

在接下来的几年里，内存芯片制造商争先恐后地开发防止攻击的防御措施，主要是通过限制程序在给定时间内打开和关闭目标芯片区域的次数。

在 Onur Mutlu 教授的领导下，苏黎世联邦理工学院研究团队深入调查 DRAM 模块，设计了一种新的方法，即便是装备相应保护措施的 DDR4 内存上，通过诱导位翻转（0 和 1 数字变化），让其保持比正常时间更长的时间，从而读取相关内容。

Mutlu 在论文中表示："我们展示了一个概念验证的 RowPress 程序，该程序可以在已经采用针对 RowHammer 的保护的真实系统中引起 bitflip"。

这本身并不算攻击，但恶意攻击者通过诱发更多的位翻转，从而在此基础上实现各种攻击。

主要问题是 RowPress 攻击比 RowHammer 更具成本效益。激活 RowPress 攻击次数仅为 RowHammer 的十分之一或者百分之一。

而且这种类型的攻击更难以检测。为了解决这个问题，研究人员表示，需要专有的电路解决方案，将 DRAM 的平均性能降低至少 2%，甚至需要在一系列应用中做出规范。

制造商愿意做出这样的牺牲吗？三星回应称，它正在探索保护 DDR4 内存模块免受新型攻击的可能性。美光和 SK 海力士在撰写本文时没有发表评论。

CTOnews.com在此附上详细报道原文链接，感兴趣的用户可以深入阅读。