三星称其 3nm 良率可达 60~70%，2023-2024 年主打 SF3 / SF3P 节点

CTOnews.com 5 月 2 日消息，三星电子正为 3nm 芯片订单与台积电展开激烈的竞争和碰撞，SF3 是首个采用 GAA-FET 技术的 3 纳米节点，三星已经为目前各大无晶圆厂半导体设计公司送样，以此彰显对性能验证的信心，试图重新俘获客户的青睐。

三星声称，在节点开发阶段，其生产良率可维持在 60-70% 的范围内。值得一提的是，良率对于吸引客户非常关键，因为一般的大客户首先都会基于产能进行考虑，其次才是晶圆成本，而目前台积电产能都已被苹果占据。

此前，三星曾因其工程部门 2022 年"捏造"良率以赢取客户业务的争议而备受诟病。三星表示 2023-2024 年将以 3 纳米生产为主，即 SF3 (3GAP) 及其改进版本 SF3P (3GAP+)，而且该公司还计划于 2025-2026 年开始推出其 2 纳米级别节点。

据称，三星电子获得的大部分订单来自需要高性能和低功耗半导体的移动和 HPC 公司，3nm 制程的良率相比最开始量产时也已进入稳定轨道。根据CTOnews.com此前报道，三星 3nm 制程工艺已获英伟达、高通、IBM、百度等公司订单。

4 月 30 日，台积电针对美国大客户召开北美晶圆代工技术座谈会，公布了下一代晶圆代工先进制程量产路线图。台积电原本计划在今年下半年量产 N3E，但现已将其推迟到明年。此外，进一步升级的 N3P 和 N3X 将于 2025 年开始量产，面向汽车行业的 N3A 则将于 2026 年开始量产。

一位业内人士表示，"诚然，在半导体行业具有强大影响力的是台积电，凭借稳定现有先进制程良率的经验，在订单争夺中领先一步。但在台积电之前应用具有成本优势的 GAA 之前，这将成为一个变数。"