台积电 3nm 制程目前良率最高 63%，尚不及 4nm 工艺

4 月 18 日消息，据外媒报道，台积电仍采用鳍式场效应晶体管架构的 3nm 制程工艺，在去年的 12 月 29 日正式开始商业化生产，量产之后产能在不断提升。

对于台积电量产已一个季度的 3nm 制程工艺，有外媒在报道中预计目前的良品率为 63% 或更低。

就外媒在报道中提到的良品率而言，台积电 3nm 制程工艺目前的良品率，同更早投产的 4nm 还是有差距。外媒在报道中表示，台积电 4nm 制程工艺的良品率目前预计在 80% 左右。

虽然目前台积电 3nm 制程工艺的良品率，预计同 4nm 还有差距，但随着量产时间的延长，良品率还会继续提升，未来有望达到甚至超过 4nm 工艺的水平。

全球目前有两家晶圆代工商已量产 3nm 制程工艺，另一家是三星电子。三星电子的 3nm 制程工艺在去年的 6 月 30 日量产，较台积电早近半年，所代工的首批晶圆，也已在去年的 7 月 25 日发货。

不过外媒在报道中，并未提及三星电子 3nm 制程工艺目前的良品率，但他们表示三星电子 4nm 制程工艺的良品率有明显提升，最少达到了 70%，已接近台积电 4nm 制程工艺的良品率。