铠侠和西部数据宣布推出 218 层 3D NAND 闪存

CTOnews.com 3 月 31 日消息，铠侠和西部数据公司近日宣布了他们最新的 3D 闪存技术，该技术具有超高的容量、性能和可靠性，同时价格合理。该技术采用了先进的缩放和晶圆键合技术的成果，旨在满足各行各业快速增长的数据市场的需求。

据西部数据公司的技术与战略高级副总裁 Alper Ilkbahar 介绍，两家公司的合作和研发投入使他们能够提前完成这项基础技术的产品化，并提供高性能和资本效率的解决方案。通过引入多项独特的工艺和架构，铠侠和西部数据降低了成本，实现了持续的横向缩放进步，并在更少的层数和更优化的成本下提高了单个芯片的容量。

据CTOnews.com了解，两家公司引入的突破性创新之一是 CMOS 直接键合到阵列（CBA）技术。每个 CMOS 晶圆和单元阵列晶圆分别在其最佳状态下制造，然后键合在一起，以提供更高的比特密度和更快的 NAND I / O 速度。

其 NAND I / O 速度超过 3.2Gb / s，比上一代提高了 60%，同时写入性能提高了 20%，读取延迟降低了 20%，将为用户带来更快速和便捷的体验。

这种先进的工程合作伙伴关系促成了第八代 BiCS FLASH 的成功推出，该闪存拥有业界最高的位密度。目前已开始向部分客户提供样品，未来将用于一系列以数据为中心的应用，包括智能手机、物联网设备和数据中心。