台积电 3nm 制程工艺今日正式量产

CTOnews.com 12 月 29 日消息，台积电今天将在台南科学园区举办 3 纳米量产暨扩厂典礼，正式宣布启动 3 纳米大规模生产。董事长刘德音以及逾 200 供应商与伙伴出席。据悉，台积电的南科芯片 18 厂是 5 纳米及 3 纳米的生产基地，其中，芯片 18 厂 5 期至 9 期厂房是 3 纳米生产基地。

新年伊始，台积电将采用产能有限的 N3 节点工艺，然后在 2023 年晚些时候转向更稳定、更高效的全面生产的 N3E，随后在 2024 年转向 N3P，这一年台积电还将在新竹工厂将其 2 纳米 GAA 工艺投入试生产，并在 2025 年进行大规模生产。

在此前多个季度的财报分析师电话会议上，台积电 CEO 魏哲家曾表示，他们在按计划推进 3nm 制程工艺以可观的良品率在下半年量产，在高性能计算和智能手机应用的推动下，预计产量在 2023 年将平稳提升。

台积电在官网公布的信息显示，他们的 3nm 制程工艺，是 5nm 之后的另一个全世代制程，具备最佳的 PPA 及电晶体技术。同 5nm 制程工艺相比，3nm 制程工艺的逻辑密度将增加约 70%，在相同功耗下速度提升 10-15%，或者在相同速度下功耗降低 25-30%。

CTOnews.com了解到，三星于 6 月开始制造 3 纳米半导体，并准备在 2024 年推出更节能的 3 纳米节点。该公司的芯片将被用于 Nvidia 显卡、高通移动处理器、IBM CPU 和百度云服务器芯片。目前，三星在全球半导体市场份额方面远远落后于台积电，位居第二。