上海集成电路材料研究院采用创新范式提高光刻材料研发效率

集微网消息，上海集成电路材料研究院官网日前刊文，回顾了该院建院两年来取得的科研与产业化成果。

这家由中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海硅产业集团股份有限公司共同发起成立的研究机构致力于衬底材料、工艺材料的研发与产业化，面向企业需求和产业化落地，积极开展技术攻关。

如该院针对抛光垫、抛光液材料性能以及抛光压力、抛光温度、抛光液流速等抛光工艺对大硅片平整度的影响，开发了全套大硅片抛光解决方案。依托该院技术设立的上海芯谦集成电路有限公司首片 CMP 抛光垫已正式出样。

在光刻材料研发上，该院采用创新范式提高材料研发效率，建立光刻材料基因组，以高通量材料制备平台、短流程器件工艺平台、高通量材料表征平台、材料性能数据库平台与材料模拟计算平台为支撑，与协作单位共同开展提升光刻材料研发、筛选、优化与应用效率的研究工作。

面向前沿材料技术，集材院联合上海微系统所发起氮化铝薄膜材料基因组项目，开发了具有内嵌空腔的 SOI 衬底（VESOI）并成功应用于全包围环形栅（GAA）器件的制备。