美光科技第 5 代 10nm LPDDR5X 内存芯片接近量产，能效提高 15%

CTOnews.com 11 月 4 日消息，BusinessKorea 报道称，美光科技最近已将其基于第 5 代 10 纳米 (1b 或 12 纳米至 13 纳米) 工艺的低功耗双数据速率 5X (LPDDR5X) 样品送交给各大智能手机制造商。

美光没有透露新品的具体规格，但表示与上一个版本相比，新品的能效提高了 15%，单个区域存储的比特位数提高了 35%。

CTOnews.com曾报道，目前三星电子、SK 海力士、美光三大厂商占据了全球 DRAM 市场的 90% 以上份额。据市场调查企业 Omdia 透露，三星电子第二季度的市场占有率为 43.3% 位居第一，SK 海力士 (28.1%) 和美光 (23.6%) 紧随其后。

去年 1 月，美光在三星电子之前开始量产第 4 代 1a DRAM 芯片，它在 2020 年底宣布推出了业界首款 176 层 NAND 闪存，当时三星电子和 SK 海力士还在专注于 128 层 NAND 闪存。

美光 5 月份宣布，将在 2022 年开始大规模生产 1b DRAM 芯片。考虑到三星电子和 SK 海力士计划在明年年初批量生产 1b DRAM 产品，美光极有可能因此成为首个量产 1b DRAM 的公司。

值得一提的是，三星电子和 SK 海力士将 EUV 光刻技术应用于 1a DRAM 产品，但美光将继续使用氟化氩激光技术生产 1b DRAM，该公司计划从第 6 代 10 纳米芯片才会开始应用 EUV 工艺。