高速低功耗2MX8位CMOS静态SRAMIS62WV20488ALL
发表于:2026-11-01 作者:千家信息网编辑
千家信息网最后更新 2026年11月01日,ISSI IS62WV20488ALL一款高速,低功耗,2MX8位CMOS静态 SRAM 。使用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合,可产生更高性能和更低功耗
千家信息网最后更新 2026年11月01日高速低功耗2MX8位CMOS静态SRAMIS62WV20488ALL

ISSI IS62WV20488ALL一款高速,低功耗,2MX8位CMOS静态 SRAM 。使用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合,可产生更高性能和更低功耗的设备。当CS1为高电平或CS2为低电平时,器件将进入待机模式,在该模式下,可以通过CMOS输入电平降低功耗。IS62WV20488ALL采用单电源供电,所有输入均兼容TTL。IS62WV20488ALL提供48球mini BGA和44引脚TSOP(II型)封装。 ISSI代理商 提供样品及解决方案。
引脚配置

IS62WV20488ALL特征
•高速访问时间:25、35ns
•高性能,低功耗CMOS工艺
•多个中心电源和接地引脚,增强了抗噪能力
•完全静态操作:无需时钟或刷新
•TTL兼容输入和输出
•单电源
-Vdd1.65V至2.2V(IS62WV20488ALL)
Vcc=1.65V至2.2V时,速度=35ns
-Vdd2.4V至3.6V(IS62WV20488BLL)
Vcc=2.4V至3.6V时,速度=25ns
•可用软件包:
-48球miniBGA(9mmx11mm)
-44引脚TSOP(II型)
•工业温度支持
•无铅
功能框图

交流测试负载
| 工作范围(Vdd)(IS62WV20488ALL) | ||
| 范围 | 环境温度 | Vdd(35 ns) |
| 商业 | 0°C至+ 70°C | 1.65V-2.2V |
| 工业 | -40°C至+ 85°C | 1.65V-2.2V |
功耗
电平
电源
高性能
输入
静态
高速
工业
技术
模式
温度
范围
速度
代理商
功能
可以通过
商业
器件
多个
工作范围
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